Hersteller Produktnummer:
TSM060NB06LCZ C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM060NB06LCZ C0G-DG
Beschreibung:
60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
3995 Stück Neu Original Auf Lager
12991720
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TSM060NB06LCZ C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta), 111A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6273 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TSM060
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
1801-TSM060NB06LCZC0G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TSM60NC196CI C0G
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
NTMFS4C908NAT3G
TRENCH 6 30V NCH
NTMFS4C905NAT3G
TRENCH 6 30V NCH